瓷器的温度_瓷器的温度要求

武汉一三光电取得小型陶瓷封装的光纤光栅温度传感器专利,解决现有...金融界2024年10月25日消息,国家知识产权局信息显示,武汉一三光电科技有限公司取得一项名为“一种小型陶瓷封装的光纤光栅温度传感器”的专利,授权公告号CN 221859767 U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种小型陶瓷封装的光纤光栅温度传感器,包括光说完了。

晶弘新材料取得可感测温度的LED陶瓷封装基板专利,能对温度进行...将温度传感器设置于第二正面焊盘上并与第二正面焊盘连接导通,这种LED陶瓷封装基板能够有效进行散热,提高导热效率,增强产品的散热性能,以及,温度传感器的设置使得LED陶瓷封装基板在使用时能够测量封装腔内的温度,可对温度进行监测,提升使用时的安全性能,有利于检测产品的好了吧!

江苏首智申请陶瓷片在高压功率器件温度采样中应用专利,提高温度...包括:在安装有功率器件的线路板上设置温度采集元件和导热陶瓷片,导热陶瓷片设于功率器件和温度采集元件之间,所述导热陶瓷片通过导热连接件分别连接功率器件和热敏电阻;所述高压的压力范围为300V 1000V 本发明将陶瓷片用于功率器件的温度采样中,利用陶瓷片较好的导热性,形好了吧!

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普莱克斯S.T.技术有限公司取得具有降低的固化温度的无铬酸盐陶瓷...金融界2024年9月25日消息,国家知识产权局信息显示,普莱克斯S.T.技术有限公司取得一项名为“具有降低的固化温度的无铬酸盐陶瓷组合物”的专利,授权公告号CN 115335549 B,申请日期为2021年3月。

...申请一种聚钼碳硅烷的合成方法专利,先驱体无机转化温度低陶瓷产率高将所述低分子量液态聚碳硅烷与有机溶剂混合;在惰性气体保护下,一边搅拌一边加入MoCl5溶液,并冷凝回流;反应结束后除去溶剂,即可得到聚钼碳硅烷。本发明方法工艺简单,安全可靠,易于批量生产,且先驱体无机转化温度低陶瓷产率高,是合成聚钼碳硅烷以及制备出SiC/MoSi2陶瓷的优秀好了吧!

...其制备方法,降低熔融渗透温度、改性陶瓷基体材料并取得更好渗透效果AlSi 合金粉以及稀土氧化物粉的混合粉体可以降低熔融渗透温度,同时对陶瓷基体材料进行改性;采用微波加热进行快速升温,可以缩短熔融渗透所需时间、产品致密度更好、机械性能更佳;在熔融渗透过程当中施加超波声可以取得更好的渗透效果。本发明所述C/C‑SiC 复合材料的密度好了吧!

小米SU7 Ultra碳陶瓷制动盘曝光:直径目前跑车中最大 最高工作温度超...右侧为小米SU7 Ultra量产版碳陶瓷刹车盘碳陶瓷刹车盘(Carbon Ceramic Brake Disc)以往多用于高性能跑车、赛车,主要有耐高温、重量轻、耐用性强、制动性能出色等优势。一般来说,碳陶瓷材料能承受极高的温度(超过1000°C),即使在高强度制动时也不会出现过热导致的热衰减(Bra还有呢?

...Y2O3-MgO 纳米陶瓷烧结方法和装置专利,在达到烧结温度前设置预烧...本发明公开了球罩形Y2O3‑MgO纳米陶瓷烧结方法和装置,其中烧结方法包括对成型坯体进行预烧结、烧结和退火:预烧结,所述预烧结温度为1100~1250℃,保温时间为30~120min;烧结,所述烧结温度为1300~1550℃,保温时间为15~90min;退火,所述退火温度为1000~1300℃,保温时间好了吧!

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成都宏科申请一种具有高介低损高温度稳定型的芯片电容用介质陶瓷...金融界2024 年8 月23 日消息,天眼查知识产权信息显示,成都宏科电子科技有限公司申请一项名为“一种具有高介低损高温度稳定型的芯片电容用介质陶瓷材料及其制备方法和应用“公开号CN202410373599.7,申请日期为2024 年3 月。专利摘要显示,本发明公开了一种具有高介低损等会说。

...基于参数控制的高导热率氮化铝陶瓷导热片的制备方法专利,降低温度...将混合物料抽真空脱泡得到陶瓷浆料,将陶瓷浆料压制获取陶瓷坯片;在陶瓷坯片敷隔粘粉后排胶获取真空排胶后的陶瓷坯片;将真空排胶后的陶瓷坯片通过升温保温完成烧结,后冷却除粉抛光得到高导热率氮化铝陶瓷导热片;保温过程中,通过不同位置采集的温度对此时的温度进行控制。本说完了。

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