什么是暗电流_什么是暗产

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豪威科技取得暗电流校准方法及相关联像素电路系统专利金融界2024年10月21日消息,国家知识产权局信息显示,豪威科技股份有限公司取得一项名为“暗电流校准方法及相关联像素电路系统”的专利,授权公告号CN 114449188 B,申请日期为2021年9月。

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韦尔股份取得减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构专利,消除...金融界2024 年8 月14 日消息,天眼查知识产权信息显示,上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构“授权公告号CN112530986B,申请日期为2020 年12 月。专利摘要显示,本发明公开了一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像等会说。

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韦尔股份获得发明专利授权:“一种减小暗电流和电学串扰的图像传感...证券之星消息,根据天眼查APP数据显示韦尔股份(603501)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构”,专利申请号为CN202011413537.2,授权日为2024年8月9日。专利摘要:本发明公开了一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构,包好了吧!

...视半导体申请浮栅型图像传感器及其工作方法专利,降低传感器的暗电流在现有浮栅型图像传感器的基础上增加一个暗电流屏蔽栅,用于降低传感器的暗电流,并且所述暗电流屏蔽栅位于所述浮栅电容器和所述浮栅晶体管之间,其与所述浮栅电容器的间距d1小于位于其下方的、所述浅槽隔离结构与所述浮栅电容器向下的延伸线之间的间距d2。本发明可以有低是什么。

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苏州晶歌申请红外探测器及其制作方法专利,有助于降低器件暗电流所述红外探测器的吸收层为N型InAs/InAsSb超晶格或者N型InGaAs/InAsSb超晶格,并且所述红外探测器的势垒层为N型InGaAsSb材料。在本发明的红外探测器中,InGaAsSb势垒层价带与In(Ga)As/InAsSb超晶格吸收区价带平齐,形成电子势垒,有助于降低器件暗电流,同时器件结构中只有In、..

成都芯瑞科技取得降低误差的跨阻放大器电路专利,能够减小暗电流...所述第一光电二极管与第二光电二极管的正极均电连接有电流电压转换元件,与第一光电二极管电连接的电流电压转换元件的另一端与运算放大器的输出端电连接,与第二光电二极管电连接的电流电压转换元件的另一端接地,所述第二光电二极管与光源隔离。本实用新型能够减小暗电流产说完了。

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...锗外延工艺质量相关专利,能减小光电探测器暗电流,提升硅光芯片性能尺寸之间差值,与后续进行外延前处理工艺时对第一窗口部侧壁造成的过刻蚀量对应,以在过渡外延窗口基础上进一步形成满足使第一横向尺寸与第二横向尺寸趋于一致要求的最终外延窗口。本发明能有效减小锗外延缺陷与位错密度,由此能减小光电探测器暗电流,提升硅光芯片性能。

...装置及方法专利,能够对单晶硅电池在黑暗环境中进行暗电流性能检测然后利用光照遮光玻璃使光照箱门在闭合时对光照检测箱对电池片进行黑暗环境照明,接着利用光照电阻传感器对电池片进行电阻检测,然后利用光照电流传感器对电池片进行电流检测,能够对单晶硅电池在黑暗环境中进行暗电流性能检测,能够在暗电流和光电流的环境进行电池片性能检是什么。

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